Numărul de produs al producătorului:
DMN65D8LDWQ-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN65D8LDWQ-13-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Descriere detaliată:
Mosfet Array 60V 180mA 300mW Surface Mount SOT-363
Inventar:
12888365
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN65D8LDWQ-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
180mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
0.87nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
22pF @ 25V
Putere - Max
300mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-363
Numărul de bază al produsului
DMN65
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
10,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMP32D9UDA-7B
MOSFET 2P-CH 0.22A 6DFN
DMN53D0LDW-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
DMP2160UFDBQ-7
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
