Numărul de produs al producătorului:
DMN65D8LDW-7
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN65D8LDW-7-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Descriere detaliată:
Mosfet Array 60V 180mA 300mW Surface Mount SOT-363
Inventar:
34033 Piese Noi Originale În Stoc
12888929
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN65D8LDW-7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
180mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
0.87nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
22pF @ 25V
Putere - Max
300mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-363
Numărul de bază al produsului
DMN65
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
DMN65D8LDW-7DIDKR
DMN65D8LDW-7DITR
DMN65D8LDW-7DICT
DMN65D8LDW7
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMT47M2LDVQ-13
MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
BSS84DW-7
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
DMP2101UCB9-7
MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB
