Numărul de produs al producătorului:
DMN63D1LDW-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN63D1LDW-13-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Descriere detaliată:
Mosfet Array 60V 250mA 310mW Surface Mount SOT-363
Inventar:
12882513
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN63D1LDW-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
250mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
0.3nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 25V
Putere - Max
310mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-363
Numărul de bază al produsului
DMN63
Informații suplimentare
Pachet standard
10,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMN66D0LDW-7
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
2890
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN66D0LDW-7-DG
PREȚ UNIC
0.17
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN3013LDG-13
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333
PMGD290UCEAX
MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP
DMN601VKQ-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
