DMN60H3D5SK3-13
Numărul de produs al producătorului:

DMN60H3D5SK3-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN60H3D5SK3-13-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventar:

RFQ Online
12901270
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

DMN60H3D5SK3-13 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
354 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
41W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK)
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
DMN60

Informații suplimentare

Pachet standard
2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
diodes

DMN2004WK-7

MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

diodes

DMN3009LFV-7

MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

diodes

BS170PSTOB

MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE

diodes

DMTH6016LFVW-7

MOSFET N-CH 60V 41A POWERDI3333