DMN60H080DS-13
Numărul de produs al producătorului:

DMN60H080DS-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN60H080DS-13-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 80mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

10000 Piese Noi Originale În Stoc
12883511
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

DMN60H080DS-13 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
100Ohm @ 60mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
25 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
DMN60

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
31-DMN60H080DS-13CT
31-DMN60H080DS-13DKR
DMN60H080DS-13-DG
31-DMN60H080DS-13TR
Pachet standard
10,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMT3020LFCL-7

MOSFET N-CH 30V 7.6A 6UDFN

diodes

DMN63D8LW-13

MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323

diodes

DMS3016SFG-7

MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8

diodes

DMN3731UFB4-7B

MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN