DMN6070SSD-13

Numărul de produs al producătorului:

DMN6070SSD-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN6070SSD-13-DG

Descriere:

MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO

Descriere detaliată:

Mosfet Array 60V 3.3A 1.2W Surface Mount 8-SO

Inventar:

34621 Piese Noi Originale În Stoc

12883333

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMN6070SSD-13 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configurație

2 N-Channel (Dual)

Caracteristică FET

Logic Level Gate

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

3.3A

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

588pF @ 30V

Putere - Max

1.2W

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Carcasă

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pachet dispozitiv furnizor

8-SO

Numărul de bază al produsului

DMN6070

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

DMN6070SSD-13-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

DMN6070SSD-13DITR

DMN6070SSD-13DICT

DMN6070SSD-13DIDKR

Pachet standard

2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

DMC1016UPD-13

MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50

diodes

DMC25D1UVT-13

MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26

diodes

DMT6017LDV-13

MOSFET 2N-CH 25.3A POWERDI3333

diodes

DMTH6016LSD-13

MOSFET 2N-CH 7.6A 8SO