Numărul de produs al producătorului:
DMN33D8LDWQ-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN33D8LDWQ-13-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Inventar:
13000618
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN33D8LDWQ-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1.23nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
48pF @ 5V
Putere - Max
350mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-363
Numărul de bază al produsului
DMN33
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
31-DMN33D8LDWQ-13TR
Pachet standard
10,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN3032LFDBWQ-13
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 6UDFN
DMTH4008LPDW-13
MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
DMG6302UDW-13
MOSFET 2P-CH 25V 0.15A SOT363