Numărul de produs al producătorului:

DMN3061LCA3-7

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN3061LCA3-7-DG

Descriere:

MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN1006

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 4.6A (Ta) 1.12W Surface Mount X4-DSN1006-3 (Type C)

Inventar:

RFQ Online

12987005

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMN3061LCA3-7 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

4.6A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 8V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 500mA, 8V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

1.4 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

12V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

126 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

1.12W

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

X4-DSN1006-3 (Type C)

Pachet / Carcasă

3-XFDFN

Numărul de bază al produsului

DMN3061

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

31-DMN3061LCA3-7TR

Pachet standard

10,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

UPA2730TP-E2-AZ

UPA2730 - POWER FIELD-EFFECT TRA

FDD9509L

FDD9509L

infineon-technologies

IAUA250N04S6N008AUMA1

OPTIMOS POWER MOSFET

vishay-siliconix

SIHA12N60E-GE3

N-CHANNEL 600V