DMN3032LE-13

Numărul de produs al producătorului:

DMN3032LE-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN3032LE-13-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 5.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

Inventar:

159962 Piese Noi Originale În Stoc

12888176

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMN3032LE-13 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

5.6A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

11.3 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

498 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

1.8W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SOT-223-3

Pachet / Carcasă

TO-261-4, TO-261AA

Numărul de bază al produsului

DMN3032

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

DMN3032LE-13-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

DMN3032LE-13DITR

DMN3032LE-13DICT

DMN3032LE-13DIDKR

Pachet standard

2,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

DMN2055U-13

MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 1

diodes

DMP2023UFDF-7

MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN

diodes

DMN67D8LT-13

MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R

diodes

DMP1009UFDFQ-7

MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN