Numărul de produs al producătorului:

DMN3016LDN-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN3016LDN-13-DG

Descriere:

MOSFET 2N-CH 9.2A 8VDFN

Descriere detaliată:

Mosfet Array 9.2A (Ta) Surface Mount V-DFN3030-8 (Type J)

Inventar:

RFQ Online

12882732

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMN3016LDN-13 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configurație

2 N-Channel (Dual)

Caracteristică FET

-

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

9.2A (Ta)

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Carcasă

8-PowerVDFN

Pachet dispozitiv furnizor

V-DFN3030-8 (Type J)

Numărul de bază al produsului

DMN3016

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

DMN3016LDN-13-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

10,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

DMC2710UVT-13

MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6

diodes

DMN3032LFDB-7

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN

diodes

DMC3016LDV-7

MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333

diodes

DMC4040SSDQ-13

MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO