Numărul de produs al producătorului:
DMN3012LEG-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN3012LEG-13-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 10A (Ta), 20A (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8 (Type D)
Inventar:
12950317
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN3012LEG-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Ta), 20A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Putere - Max
2.2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-PowerLDFN
Pachet dispozitiv furnizor
PowerDI3333-8 (Type D)
Numărul de bază al produsului
DMN3012
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
31-DMN3012LEG-13TR
DMN3012LEG-13DI
31-DMN3012LEG-13DKR
31-DMN3012LEG-13CT
DMN3012LEG-13DI-DG
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BUK9V13-40HX
MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
PSMN013-40VLDX
MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
PSMN4R2-40VSHX
MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
