DMN3009LFVQ-13

Numărul de produs al producătorului:

DMN3009LFVQ-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN3009LFVQ-13-DG

Descriere:

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

Descriere detaliată:

N-Channel 30 V 60A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Inventar:

RFQ Online

12986897

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMN3009LFVQ-13 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

42 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2000 pF @ 15 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

1W (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Clasă

Automotive

Calificare

AEC-Q101

Tip de montare

Surface Mount, Wettable Flank

Pachet dispozitiv furnizor

PowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Pachet / Carcasă

8-PowerVDFN

Numărul de bază al produsului

DMN3009

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

31-DMN3009LFVQ-13TR

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

taiwan-semiconductor

TSM025NH04LCR RLG

40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

vishay-siliconix

SI7615BDN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK

diodes

DMTH4014LFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

diodes

DMTH4001SPSQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506