Numărul de produs al producătorului:
DMN2990UFZ-7B
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN2990UFZ-7B-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 250mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3
Inventar:
1178077 Piese Noi Originale În Stoc
12890986
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
yY9B
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN2990UFZ-7B Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
55.2 pF @ 16 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
320mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
X2-DFN0606-3
Pachet / Carcasă
3-XFDFN
Numărul de bază al produsului
DMN2990
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-772-DMN2990UFZ-7BDKR
DMN2990UFZ-7BDIDKR
DMN2990UFZ-7BDICT
-772-DMN2990UFZ-7BTR
-772-DMN2990UFZ-7BCT
DMN2990UFZ-7BDITR
Pachet standard
10,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPCA8003-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 35A 8SOP
SSM3K15AFS,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
TK39N60W5,S1VF
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
