Numărul de produs al producătorului:
DMN21D2UFB-7
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN21D2UFB-7-DG
Descriere:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 760mA (Ta) 380mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventar:
12978564
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN21D2UFB-7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
760mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
990mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
0.93 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
27.6 pF @ 16 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
380mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
X1-DFN1006-3
Pachet / Carcasă
3-UFDFN
Numărul de bază al produsului
DMN21
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
31-DMN21D2UFB-7TR
31-DMN21D2UFB-7DKR
31-DMN21D2UFB-7CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMN21D2UFB-7B
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
54090
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN21D2UFB-7B-DG
PREȚ UNIC
0.05
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMTH4014SPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMTH4M70SPGWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
DMN2710UWQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
