Numărul de produs al producătorului:
DMN2020LSN-7
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN2020LSN-7-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 6.9A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Inventar:
87491 Piese Noi Originale În Stoc
12888633
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN2020LSN-7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1149 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
610mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SC-59-3
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
DMN2020
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
DMN2020LSN7
DMN2020LSN-7DITR
DMN2020LSN-7DICT
DMN2020LSN-7DIDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN2005UFG-7
MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
DMP2067LVT-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
DMG4407SSS-13
MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
