Numărul de produs al producătorului:
DMN2014LHAB-7
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN2014LHAB-7-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 9A 800mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
Inventar:
2886 Piese Noi Originale În Stoc
12888156
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN2014LHAB-7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1550pF @ 10V
Putere - Max
800mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-UFDFN Exposed Pad
Pachet dispozitiv furnizor
U-DFN2030-6 (Type B)
Numărul de bază al produsului
DMN2014
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
DMN2014LHAB-7DICT
DMN2014LHAB-7DITR
DMN2014LHAB-7DIDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN3055LFDB-7
MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN
DMP1046UFDB-13
MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
DMPH6050SPDQ-13
MOSFET 2P-CH 26A POWERDI50
