Numărul de produs al producătorului:
DMN2012UCA6-7
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN2012UCA6-7-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 24V 13A X3-DSN2718
Descriere detaliată:
Mosfet Array 24V 13A (Ta) 820mW Surface Mount X3-DSN2718-6
Inventar:
12884603
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN2012UCA6-7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
24V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2417pF @ 10V
Putere - Max
820mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-SMD, No Lead
Pachet dispozitiv furnizor
X3-DSN2718-6
Numărul de bază al produsului
DMN2012
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMC31D5UDJ-7
MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
DMN3013LDG-7
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A PWRDI3333
DMN2041UFDB-13
MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN
