Numărul de produs al producătorului:
DMN2011UTS-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN2011UTS-13-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 21A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventar:
165 Piese Noi Originale În Stoc
12884833
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN2011UTS-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2248 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSSOP
Pachet / Carcasă
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Numărul de bază al produsului
DMN2011
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
DMN2011UTS-13-DG
DMN2011UTS-13DICT
DMN2011UTS-13DIDKR
DMN2011UTS-13DITR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMP22D4UFO-7B
MOSFET P-CH 20V 530MA 3DFN
DMN63D1LT-13
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
DMP2040UVT-13
MOSFET P-CH 20V TSOT26
