DMN2011UFX-7

Numărul de produs al producătorului:

DMN2011UFX-7

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN2011UFX-7-DG

Descriere:

MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN

Descriere detaliată:

Mosfet Array 20V 12.2A (Ta) 2.1W Surface Mount V-DFN2050-4

Inventar:

2951 Piese Noi Originale În Stoc

12882823

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMN2011UFX-7 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configurație

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Caracteristică FET

-

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

12.2A (Ta)

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2248pF @ 10V

Putere - Max

2.1W

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Carcasă

4-VFDFN Exposed Pad

Pachet dispozitiv furnizor

V-DFN2050-4

Numărul de bază al produsului

DMN2011

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

DMN2011UFX-7-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

DMN2011UFX-7DICT

DMN2011UFX-7DITR

DMN2011UFX-7DIDKR

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

DMN2040LSD-13

MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SOP

diodes

DMN62D0UDW-13

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

diodes

DMC2990UDJ-7

MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963

diodes

DMC4015SSD-13

MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A 8SO