DMN2011UFDE-13

Numărul de produs al producătorului:

DMN2011UFDE-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN2011UFDE-13-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN

Descriere detaliată:

N-Channel 20 V 11.7A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)

Inventar:

RFQ Online

12888032

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMN2011UFDE-13 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

11.7A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

84 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±12V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3372 pF @ 10 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

610mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

U-DFN2020-6 (Type E)

Pachet / Carcasă

6-PowerUDFN

Numărul de bază al produsului

DMN2011

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

DMN2011UFDE-13-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

10,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

DMNH6021SK3-13

MOSFET N-CH 60V 50A TO252

diodes

DMN4034SSS-13

MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO

diodes

DMG4468LFG-7

MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

diodes

DMN31D5L-7

MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R