DMN2008LFU-7

Numărul de produs al producătorului:

DMN2008LFU-7

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN2008LFU-7-DG

Descriere:

MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN

Descriere detaliată:

Mosfet Array 20V 14.5A 1W Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)

Inventar:

5679 Piese Noi Originale În Stoc

12888766

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMN2008LFU-7 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configurație

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Caracteristică FET

-

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

14.5A

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250A

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

42.3nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1418pF @ 10V

Putere - Max

1W

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Carcasă

6-UFDFN Exposed Pad

Pachet dispozitiv furnizor

U-DFN2030-6 (Type B)

Numărul de bază al produsului

DMN2008

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

DMN2008LFU-7-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

DMN2008LFU-7DIDKR

DMN2008LFU-7DITR

DMN2008LFU-7DICT

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

DMT3020LFDB-13

MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN

diodes

DMN2400UV-7

MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

DMNH6035SPDW-13

MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERDI50

diodes

DMG6898LSD-13

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO