DMN2008LFU-13
Numărul de produs al producătorului:

DMN2008LFU-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN2008LFU-13-DG

Descriere:

MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 14.5A 1W Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)

Inventar:

12883123
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

DMN2008LFU-13 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
14.5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
42.3nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1418pF @ 10V
Putere - Max
1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-UFDFN Exposed Pad
Pachet dispozitiv furnizor
U-DFN2030-6 (Type B)
Numărul de bază al produsului
DMN2008

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMN2028UFDH-7

MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI

diodes

DMN26D0UDJ-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

diodes

DMC3730UVT-7

MOSFET N/P-CH 25V 0.68A TSOT26

diodes

BSS84DW-7-F

MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363