Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
DMN2005LPK-7
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN2005LPK-7-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 440mA (Ta) 450mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Inventar:
49957 Piese Noi Originale În Stoc
12888696
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN2005LPK-7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
440mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 100µA
Vgs (Max)
±10V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
450mW (Ta)
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
X1-DFN1006-3
Pachet / Carcasă
3-UFDFN
Numărul de bază al produsului
DMN2005
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
DMN2005LPK-7-DG
Fișe tehnice
DMN2005LPK-7
Informații suplimentare
Alte nume
DMN2005LPK-7DIDKR
DMN2005LPK-7-DG
DMN2005LPK7
DMN2005LPK-7DITR
DMN2005LPK-7DICT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMP4013LFG-7
MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
DMN2055U-7
MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3
DMP32D5LFA-7B
MOSFET P-CH 30V 300MA 3DFN
DMP6050SPS-13
MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8