Numărul de produs al producătorului:
DMN10H170SFG-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMN10H170SFG-13-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventar:
5900 Piese Noi Originale În Stoc
12884809
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMN10H170SFG-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
122mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
870.7 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
940mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerDI3333-8
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
DMN10
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
DMN10H170SFG-13DKR-DG
DMN10H170SFG-13CT-DG
DMN10H170SFG-13DICT
DMN10H170SFG-13CT
DMN10H170SFG-13DITR
DMN10H170SFG-13TR-DG
DMN10H170SFG-13DKR
DMN10H170SFG-13TR
DMN10H170SFG-13DIDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMPH6050SFG-7
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
BSN20-7
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
DMPH4015SK3Q-13
MOSFET P-CH 40V 14A/45A TO252
