DMN10H170SFDE-13
Numărul de produs al producătorului:

DMN10H170SFDE-13

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN10H170SFDE-13-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)

Inventar:

12882860
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

DMN10H170SFDE-13 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1167 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
660mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
U-DFN2020-6 (Type E)
Pachet / Carcasă
6-PowerUDFN
Numărul de bază al produsului
DMN10

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
DMN10H170SFDE-13DI
Pachet standard
10,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
DMN10H170SFDE-7
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
2853
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN10H170SFDE-7-DG
PREȚ UNIC
0.14
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMP1022UWS-13

MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN

diodes

DMNH4006SPSQ-13

MOSFET N-CH 40V 110A PWRDI5060-8

diodes

DMN2011UFDF-7

MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN

diodes

BSS138W-7-F

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323