DMN1019USN-7

Numărul de produs al producătorului:

DMN1019USN-7

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN1019USN-7-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Descriere detaliată:

N-Channel 12 V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59-3

Inventar:

6772 Piese Noi Originale În Stoc

12888562

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

DMN1019USN-7 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

12 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

9.3A (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 2.5V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

50.6 nC @ 8 V

Vgs (Max)

±8V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2426 pF @ 10 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

680mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SC-59-3

Pachet / Carcasă

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Numărul de bază al produsului

DMN1019

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

DMN1019USN-7-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

DMN1019USN-7DICT

DMN1019USN-7DIDKR

DMN1019USN-7DITR

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

diodes

DMP2066LVT-7

MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT26

diodes

DMP2066LSN-7

MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3

diodes

DMN4035L-13

MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23

diodes

DMG302PU-13

MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23