DMN1019USN-7
Numărul de produs al producătorului:

DMN1019USN-7

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

DMN1019USN-7-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Descriere detaliată:
N-Channel 12 V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59-3

Inventar:

6772 Piese Noi Originale În Stoc
12888562
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

DMN1019USN-7 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.3A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 2.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2426 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
680mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SC-59-3
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
DMN1019

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
DMN1019USN-7DICT
DMN1019USN-7DIDKR
DMN1019USN-7DITR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMP2066LVT-7

MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT26

diodes

DMP2066LSN-7

MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3

diodes

DMN4035L-13

MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23

diodes

DMG302PU-13

MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23