Numărul de produs al producătorului:
DMJ70H1D3SH3
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMJ70H1D3SH3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Descriere detaliată:
N-Channel 700 V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH3)
Inventar:
12949687
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMJ70H1D3SH3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
700 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
351 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
41W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251 (Type TH3)
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numărul de bază al produsului
DMJ70
Informații suplimentare
Alte nume
DMJ70H1D3SH3-DG
DMJ70H1D3SH3DI
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPS70R1K4P7SAKMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPS80R600P7AKMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPS80R600P7AKMA1-DG
PREȚ UNIC
0.69
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMP2035UVTQ-13
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
DMG3404L-13
MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
DMT6016LPSW-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060