Numărul de produs al producătorului:
DMG3415UQ-7
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMG3415UQ-7-DG
Descriere:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventar:
3166 Piese Noi Originale În Stoc
12978811
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
6Ybx
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMG3415UQ-7 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
294 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
900mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
DMG3415
Informații suplimentare
Alte nume
31-DMG3415UQ-7CT
31-DMG3415UQ-7DKR
31-DMG3415UQ-7TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMTH84M1SPSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMP1008UCB9-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1515-9
DMW2013UFDEQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
