Numărul de produs al producătorului:
DMC1229UFDB-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMC1229UFDB-13-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
Descriere detaliată:
Mosfet Array 12V 5.6A, 3.8A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
Inventar:
8447 Piese Noi Originale În Stoc
12884481
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMC1229UFDB-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.6A, 3.8A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
19.6nC @ 8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
914pF @ 6V
Putere - Max
1.4W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-UDFN Exposed Pad
Pachet dispozitiv furnizor
U-DFN2020-6 (Type B)
Numărul de bază al produsului
DMC1229
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
DMC1229UFDB-13DICT
DMC1229UFDB-13DICT-DG
31-DMC1229UFDB-13CT
-DMC1229UFDB-13DICT
DMC1229UFDB-13DITR-DG
DMC1229UFDB-13DIDKR-DG
31-DMC1229UFDB-13DKR
DMC1229UFDB-13DI-DG
31-DMC1229UFDB-13TR
DMC1229UFDB-13DI
DMC1229UFDB-13DIDKR
-DMC1229UFDB-13DITR
DMC1229UFDB-13DITR
Pachet standard
10,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMC1029UFDB-7
MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
DMP2200UDW-13
MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
DMN16M9UCA6-7
MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
