Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
DMC1030UFDB-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMC1030UFDB-13-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
Descriere detaliată:
Mosfet Array 12V 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) 1.36W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
Inventar:
RFQ Online
12884328
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMC1030UFDB-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel Complementary
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
Putere - Max
1.36W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-UDFN Exposed Pad
Pachet dispozitiv furnizor
U-DFN2020-6 (Type B)
Numărul de bază al produsului
DMC1030
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
DMC1030UFDB-13-DG
Fișe tehnice
DMC1030UFDB-13
Informații suplimentare
Pachet standard
10,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN601VK-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
DMC4050SSDQ-13
MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363