Numărul de produs al producătorului:
BSS8402DW-7-F
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
BSS8402DW-7-F-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT363
Descriere detaliată:
Mosfet Array 60V, 50V 115mA, 130mA 200mW Surface Mount SOT-363
Inventar:
810 Piese Noi Originale În Stoc
12883871
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BSS8402DW-7-F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V, 50V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
115mA, 130mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Putere - Max
200mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-363
Numărul de bază al produsului
BSS8402
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BSS8402DW-FDITR
BSS8402DW-FDIDKR
BSS8402DW7F
BSS8402DW-FDICT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN2990UDJ-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT963
DMC1229UFDB-7
MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
DMG8601UFG-7
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN
