Numărul de produs al producătorului:
2N7002DWQ-13-F
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
2N7002DWQ-13-F-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Descriere detaliată:
Mosfet Array 60V 230mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Inventar:
10000 Piese Noi Originale În Stoc
12987362
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
hWvO
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2N7002DWQ-13-F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
230mA (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
Putere - Max
310mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-363
Numărul de bază al produsului
2N7002
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
31-2N7002DWQ-13-FTR
Pachet standard
10,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
CAS175M12BM3
SIC 2N-CH 1200V 228A
SIZF5302DT-T1-RE3
MOSFET 2N-CH 30V 28.1A PWRPAIR
HAT2218R0T-EL-E
MOSFET N-CH
