2N7002-7-F

Numărul de produs al producătorului:

2N7002-7-F

Product Overview

Producător:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Cod de parte:

2N7002-7-F-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

Descriere detaliată:

N-Channel 60 V 115mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

542836 Piese Noi Originale În Stoc

12882636

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

2N7002-7-F Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Diodes Incorporated

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

115mA (Ta)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

50 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

370mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SOT-23-3

Pachet / Carcasă

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Numărul de bază al produsului

2N7002

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

2N70027F

2N7002-FDITR

2N7002-FDICT

2N7002-FDIDKR

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

vishay-siliconix

IRFBE30STRLPBF

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

vishay-siliconix

IRFBC40L

MOSFET N-CH 600V 6.2A I2PAK

diodes

DMT10H015LSS-13

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO

diodes

DMN3051LDM-7

MOSFET N-CH 30V 4A SOT26