CP775-CWDM3011P-CT
Numărul de produs al producătorului:

CP775-CWDM3011P-CT

Product Overview

Producător:

Central Semiconductor Corp

DiGi Electronics Cod de parte:

CP775-CWDM3011P-CT-DG

Descriere:

MOSFET P-CH 30V 11A DIE
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 11A (Ta) Surface Mount Die

Inventar:

12978095
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

CP775-CWDM3011P-CT Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Central Semiconductor
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 8 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
Die
Pachet / Carcasă
Die

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
1514-CP775-CWDM3011P-CT
Pachet standard
100

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SIHB15N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK

vishay-siliconix

SQJQ142E-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SI1308EDL-T1-BE3

MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3

central-semiconductor

CP805-CXDM4060P-WN

MOSFET P-CH 40V 6.4A DIE