Numărul de produs al producătorului:
AS6004
Product Overview
Producător:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
DiGi Electronics Cod de parte:
AS6004-DG
Descriere:
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 4A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SOT-23-3L
Inventar:
14951 Piese Noi Originale În Stoc
12976296
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AS6004 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Anbon Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
930 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.5W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3L
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Informații suplimentare
Alte nume
4530-AS6004CT
4530-AS6004TR
4530-AS6004DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PC3M0045065L
650V MOSFET
X3M0120065L
650V MOSFET
NP35N055YUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 35A 8HSON
