Numărul de produs al producătorului:
AS1M025120P
Product Overview
Producător:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
DiGi Electronics Cod de parte:
AS1M025120P-DG
Descriere:
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 90A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
124 Piese Noi Originale În Stoc
13001331
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AS1M025120P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Anbon Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 15mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 1000 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
463W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Informații suplimentare
Alte nume
4530-AS1M025120P
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
G45P40T
MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
MMFTP3334K
MOSFET SOT23 P -30V -4A 0.071OHM
MCU110N08Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,DPAK