Numărul de produs al producătorului:
AOY2N60
Product Overview
Producător:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
AOY2N60-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 57W (Tc) Through Hole TO-251B
Inventar:
12930015
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AOY2N60 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
295 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
57W (Tc)
Temperatura
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251B
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numărul de bază al produsului
AOY2
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
5202-AOY2N60
Pachet standard
3,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK2Q60D(Q)
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
190
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK2Q60D(Q)-DG
PREȚ UNIC
0.28
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STP50N65DM6
MOSFET N-CH 650V 33A TO220
JANTXV2N6798U
MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC
PSMN8R5-40MLDX
MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
