Numărul de produs al producătorului:
AOWF2606
Product Overview
Producător:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
AOWF2606-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 13A/51A TO262F
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 13A (Ta), 51A (Tc) 2.1W (Ta), 33.3W (Tc) Through Hole TO-262F
Inventar:
12845645
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AOWF2606 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Ta), 51A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4050 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.1W (Ta), 33.3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262F
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
AOWF26
Fișa de date și documente
Informații suplimentare
Alte nume
785-1448-5
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AOB2904
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
AOD380A60
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
BVSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3