Numărul de produs al producătorului:
AOWF10N65
Product Overview
Producător:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
AOWF10N65-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 10A TO262F
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-262F
Inventar:
12849091
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AOWF10N65 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1645 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262F
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
AOWF10
Fișa de date și documente
Desene de produs
Informații suplimentare
Alte nume
5202-AOWF10N65
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDD13AN06A0-F085
MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
AON7408
MOSFET N-CH 30V 10A/18A 8DFN
AON6508
MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN
