Numărul de produs al producătorului:
AOWF095A60
Product Overview
Producător:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
AOWF095A60-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 38A TO262F
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 38A (Tj) 34.5W (Tc) Through Hole TO-262F
Inventar:
12938527
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
nCm1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AOWF095A60 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ambalare
Tube
Serie
aMOS5™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
38A (Tj)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4010 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
34.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262F
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
AOWF095
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
5202-AOWF095A60
785-AOWF095A60
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TP65H035G4WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
MCM1567-TP
MOSFET P-CH 20V 9A DFN2020-6J
AOB160A60L
MOSFET N-CH 600V 24A TO263
