Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
AOTF11N62
Product Overview
Producător:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
AOTF11N62-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 620V 11A TO220-3F
Descriere detaliată:
N-Channel 620 V 11A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventar:
RFQ Online
12846026
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AOTF11N62 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
620 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1990 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
50W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220F
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
AOTF11
Fișa de date și documente
Desene de produs
TO220F Pkg Drawing
Fișa de date HTML
AOTF11N62-DG
Fișe tehnice
AOTF11N62
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FCPF650N80Z
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
986
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCPF650N80Z-DG
PREȚ UNIC
1.42
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK8A65D(STA4,Q,M)
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
53
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK8A65D(STA4,Q,M)-DG
PREȚ UNIC
0.92
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDPF12N60NZ
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
174
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDPF12N60NZ-DG
PREȚ UNIC
0.90
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK9A60D(STA4,Q,M)
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
44
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK9A60D(STA4,Q,M)-DG
PREȚ UNIC
0.77
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK290A65Y,S4X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK290A65Y,S4X-DG
PREȚ UNIC
0.73
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BS170RLRA
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
AOD4182
MOSFET N-CH 80V 8.5A/53A TO252
FQD8P10TM-F085
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
FDPF6N60ZUT
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F