Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
AOT298L
Product Overview
Producător:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
AOT298L-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 58A (Tc) 2.1W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
RFQ Online
12847428
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AOT298L Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Ta), 58A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.1W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
AOT298
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
AOT298L-DG
Fișe tehnice
AOT298L
Informații suplimentare
Alte nume
785-1416-5
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFB4610PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
936
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFB4610PBF-DG
PREȚ UNIC
0.89
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
HUF75645P3
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
1488
DiGi NUMĂR DE PARTE
HUF75645P3-DG
PREȚ UNIC
1.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRFB4510PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1965
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFB4510PBF-DG
PREȚ UNIC
0.55
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK22E10N1,S1X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
11
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK22E10N1,S1X-DG
PREȚ UNIC
0.51
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PSMN015-100P,127
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
7793
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN015-100P,127-DG
PREȚ UNIC
1.06
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDMS007N08LC
MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN
FDS6694
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
FDA59N30
MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
FDPF44N25T
MOSFET N-CH 250V 44A TO220F