Numărul de produs al producătorului:
AOI2210
Product Overview
Producător:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
AOI2210-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 3A/18A TO251A
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 3A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-251A
Inventar:
12845274
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
AOI2210 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Ta), 18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2065 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251A
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numărul de bază al produsului
AOI22
Fișa de date și documente
Informații suplimentare
Alte nume
AOI2210-DG
5202-AOI2210
785-1708-5
Pachet standard
3,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK7Q60W,S1VQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
75
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK7Q60W,S1VQ-DG
PREȚ UNIC
0.81
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
